DK012G 12V1A DK012G方案

DK012G 方案描述

本方案以东科半导体 DK012G 准谐振反激 GaN 合封功率开关芯片为核心，构成 12V1A（约 12W）隔离反激电源方案，配套 EE1610 立式 5+2 变压器，采用单级 QR 反激拓扑、不带 PFC，适合机顶盒、路由器、小家电辅助电源与小型适配器等小功率供电场景；页面提供整机 BOM、变压器参数、原理图与 PCB，便于核对物料、磁件规格与电路布局。 DK012G 内部集成 700V/2.2Ω GaN HEMT、控制与驱动电路，PDFN5×6 封装，电流模式控制，工作在 DCM 模式；磁芯能量释放完毕、初级电感与结电容谐振到谷底时开通功率管，降低开通损耗并改善 EMI；最高支持 250kHz，最低频率钳位 25kHz 规避音频噪声；内置谷底检测与锁定、退磁检测、全程抖频、高低压功率补偿、软启动、前沿消隐、高压启动与 X 电容放电，反馈由副边光耦回传原边调节峰值电流。 保护覆盖输出过压、输出过流、过载与短路打嗝重启、VCC 过 / 欠压、过温与开环保护，并具备上电与掉电检测；芯片规格峰值效率可达 90%，芯片级待机功耗低于 50mW；整机原边由 DK012G 完成功率变换，副边整流滤波输出 12V，EE1610 立式 5+2 变压器感量与匝比由参数表确定，外围器件精简，利于控制 BOM 成本与板级面积。 随附整机 BOM、EE1610 变压器参数、原理图与 PCB 共 4 份资料；整机效率、功率因数、THD、整机待机、纹波、温升、外形尺寸与安规认证编号以样机测试、BOM 及认证报告为准；90% 峰值效率与 50mW 待机为芯片规格口径，不等同整机实测；芯片 IEC 62368-1:2018 认证编号仅代表器件等级，整机认证需另行核验。